Гегемония SK hynix нарушена: впервые в истории Samsung стала №1 по выпуску HBM
Долгое время способность в приличных количествах выпускать память типа HBM для нужд Nvidia обеспечивала компании SK hynix статус лидера в этом перспективном и доходном сегменте, и в определённый момент последняя обошла Samsung не только по прибыли, но и выручке. Как сообщают южнокорейские СМИ, в натуральном выражении Samsung недавно обошла SK hynix по объёмам выпуска HBM.
Смартфон HUAWEI Mate 70 Pro как выбор фотографа
Пять главных фишек камеры HONOR Magic 7 Pro
Обзор планшета HONOR Pad V9: нейросети спешат на помощь
Обзор смартфона HUAWEI Pura 80: удобный флагман с «Алисой»
Наушники HUAWEI FreeBuds 6, которые понимают жесты
Hollow Knight: Silksong — песнь страданий и радостей. Рецензия
Обзор смартфона HONOR X9c Smart: прочность со скидкой
Лучший процессор за 20 тысяч рублей — сравнение и тесты
Репортаж со стенда HONOR на выставке MWC 2025: передовые новинки и стратегические планы на будущее с ИИ
Источник изображения: Samsung Electronics
По информации Business Korea, недавно Samsung Electronics удалось выйти на ежемесячную обработку 170 000 кремниевых пластин с чипами HBM, тогда как до этого данное количество не превышало 150 000 кремниевых пластин в месяц. На новом рубеже Samsung оставляет позади компанию SK hynix, которая сейчас способна ежемесячно выпускать 160 000 кремниевых пластин с микросхемами памяти типа HBM.
По оценкам аналитиков, реванш Samsung стал возможен благодаря переориентации производственных линий с выпуска DRAM на производство HBM, а также совершенствованию техпроцессов, причём этим курсом корейский гигант двигался со второй половины прошлого года, во многом благодаря смене руководства подразделения DS, которая состоялась в мае 2024 года. К сентябрю этого года HBM3E производства Samsung наконец-то смогла пройти сертификацию Nvidia, хотя до этого страдала от перегрева и не могла удовлетворять всем требованиям этого заказчика. Samsung также начала снабжать подобной памятью Google, а разработанная не так давно HBM4 уже поставляется компанией своим клиентам в виде образцов.
Производственные линии P3 и P4 в Пхёнтхэке компания Samsung расширяет и переводит под выпуск кристаллов DRAM по передовому техпроцессу 1c шестого поколения, чтобы одновременно удовлетворить спрос на HBM. Было ускорено строительство линии P5, которая в будущем позволит увеличить объёмы производства памяти. Если Samsung делает упор на перевооружение существующих производств под нужды выпуска HBM, то SK hynix старается быстрее вводить в строй специализированные производственные мощности.
В следующем году, как ожидают эксперты, ежемесячные объёмы обработки 200 000 кремниевых пластин с HBM будут освоены как Samsung, так и SK hynix. До середины 2026 года преимущество будет сохраняться за первой из компаний, но если летом SK hynix введёт в строй предприятие M15X, то сможет перехватить инициативу.
В сегменте HBM4 успех обеих компаний будет зависеть от разных факторов. Если Samsung способна сама изготавливать адаптированные под нужды клиентов базовые кристаллы, то SK hynix будет вынуждена полагаться на услуги TSMC в этой сфере. В этом году доля HBM на рынке DRAM должна превысить 20 %, хотя ещё в прошлом году она составляла 8 %. При этом HBM выпускать выгоднее в 3–5 раз при нынешнем уровне цен, чем обычную DDR. Вертикальная интеграция бизнеса Samsung, по мнению некоторых экспертов, обеспечит ей определённые преимущества на рынке HBM.
